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MOSFET

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    • 型号/规格:

      全系列

    • 品牌/商标:

      AOS

    • 封装形式:

      SMD

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 安装方式:

      贴片式

    • 包装方式:

      卷带编带包装

  • 雅创芯城(深圳)供应链有限公司

  • 企业类型:贸易/代理/分销
  • 主营:“雅创芯城(;www.yax360.com)”创立于2013年,是国内首批斥巨资开发的电子元器件小...
  • 电话:0755-82810886
    0755-82810799
    0755-82810698
    0755-82774022

    手机:18938908018
    18689492468
    18922807474
    13267081618

  • 品牌:

    圣禾堂

  • 型号:

    AO3401A

  • 封装:

    SOT-23

  • 批号:

    18+

  • FET类型:

    P沟道

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 漏极电流(Id):

    4A

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    44 毫欧

  • 型号/规格:

    BC847B

  • 品牌/商标:

    NXP(恩智浦)

  • 封装形式:

    SOT23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 额定功率:

    200mW

  • 型号/规格:

    全系列

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 封装形式:

    贴片

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    NCE55H12

  • 品牌/商标:

    NCE新节能

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    STM32F100RET6B

  • 品牌/商标:

    ST

  • 封装形式:

    LQFP100

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    AO4629

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 封装形式:

    SOP8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    IRFP4410Z

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    FDS4935A

  • 品牌/商标:

    ROHM(罗姆)

  • 封装形式:

    SOP-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 电压:

    30V

  • 型号/规格:

    IRF9530NPBF

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    IRF4905PBF

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 型号/规格:

    FGL60N100BNTD

  • 品牌/商标:

    飞兆

  • 封装形式:

    TO-3PL

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    DMN6140L-7

  • 品牌/商标:

    DIODES

  • 封装形式:

    SOT23-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 批次:

    18+

  • 品牌:

    波光电子

  • 型号:

    SPF7N65

  • 封装:

    TO-220F

  • 批号:

    18+

  • FET类型:

    N沟道

  • 漏源电压(Vdss):

    650V

  • 漏极电流(Id):

    7.0V

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    1.4??

  • 型号/规格:

    BSC117N08NS5

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    PG-TDSON-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    超大功率

  • 型号/规格:

    SVF4N60F

  • 品牌/商标:

    士兰微

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 型号/规格:

    KTK5132S-RTK/P

  • 品牌/商标:

    KEC

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    AM30N10-70D-T1-PF

  • 品牌/商标:

    AP

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    TK12A50D

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 型号/规格:

    BSC026N08NS5

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    SMD/SMT

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    IPB072N15N3G

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    TO-263

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

MOSFET行业资讯

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    分立器件、 MOSFET 器件及模拟与逻辑 IC 专家 Nexperia 今日宣布其荣膺“直接材料采购——移动解决方案”类博世全球供应商奖。Nexperia 凭借 2017-2018 年度的卓越表现和团队合作,从博世的 43,000 家实力供应商中脱颖而出,跻身 47 家获此殊荣的公司之列。 ...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称全氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
  • MOSFET

MOSFET技术资料

  • MOSFET Qrr——在追求能效时,忽视这一参数是危险的

    在为许多类型的消费和工业应用设计电源时,效率往往是最重要的因素,这些应用包括手机、平板电脑和笔记本电脑、可充电的电动工具和LED照明,以及不计其数的其它产品。 一些应用需要高效率,以满足法定要求,或只是减少散热,从而实现更小、更轻的最终产品设计。选择同步MOSFET来满足所有这些...

  • Vishay 60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET 专用于标准栅极驱动电路

    器件专门用于标准栅极驱动电路,栅极电荷低至22.5 nC,QOSS为34.2 nC,采用PowerPAK? 1212-8S封装。   宾夕法尼亚、MALVERN—2019年8月12日 — 日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新款60 V TrenchFET?第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款适用于...

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